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SiHP12N60E
100
www.vishay.com
15
12
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
9
T J = 25 °C
6
1
3
V GS = 0 V
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
1000
Operation in thi s Area
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
750
725
100
Limited by R D S (on)
I DM = Limited
700
675
10
650
1
Limited by R D S (on) *
100 μ s
1 m s
625
600
0.1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
575
550
0.01
525
1
10
100
1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-0646-Rev. C, 26-Mar-12
4
Document Number: 91479
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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